Výtah z činnosti Laboratoře tenkých vrstev a nanostruktur v roce 1997

Postup prací a metodika práce při řešení projektu

Laboratoř tenkých vrstev a nanostruktur (dále LTVN) zaměstnávala v roce 1997 čtyři nově přijaté pracovníky (B. Handlířová, J. Hora, P. Mikulík a A. Nebojsa). Protože P. Mikulík získal stipendium Lise Meitnerové pro práci na univerzitě v Linci a B. Handlířová nastoupila v závěru roku mateřskou dovolenou, byli pro práci v LTVN angažováni dva doktorandi - J. Grim a J. Šik. Činnosti LTVN se dále účastnili čtyři pracovníci přírodovědecké fakulty (V. Holý, J. Humlíček, K. Navrátil a D. Munzar). D. Munzar nastoupil v září roku 97 roční stáž v Ústavu Maxe Plancka ve Stuttgartu jako stipendista Humboldtovy nadace. Oba stážisté (Mikulík a Munzar) pracují v zahraničí na problémech velmi blízkých zaměření laboratoře, jsou v neustálém styku s LTVN a podílejí se na její publikační činnosti. Celý vědecký tým využívá rozsáhlých domácích a mezinárodních kontaktů dokumentovaných níže.

Rozdělení úkolů a koordinace činnosti jednotlivých členů týmu vychází z návrhu projektu. Podle plánu jsou ve strukturních studiích zaangažováni především P. Mikulík a V. Holý; v experimentální práci je v průběhu roku doplnil J. Grim. Úkoly členů rentgenostrukturní skupiny byly směrovány jak do zlepšování metodiky a aparatur, tak do konkrétních fyzikálních úloh. V experimentálních optických studiích se angažovali hlavně B. Handlířová, J. Hora, A. Nebojsa, J. Šik, K. Navrátil a J. Humlíček. Ve zlepšování optických metodik LTVN pracovali zejména A. Nebojsa, J. Hora, K. Navrátil a J. Humlíček. V teorii elektronové struktury a teoretické interpretaci optických spekter pracovali D. Munzar a J. Humlíček. Při studiu několika systémů, především vrstev Si/SiGe a Cu-CuPc, došlo k intenzivní kooperaci mezi oběma skupinami a důsledné korelaci strukturních a optických dat. V nejpokročilejším stadiu je spolupráce na vrstvách Cu-CuPc, jejíž výsledky budou publikovány v příštím roce.

Podle projektu došlo v roce 1997 k dalšímu podstatnému zlepšení přístrojového vybavení. V rentgenové laboratoři byly dokončeny práce na instalaci rtg aparatur s vysokou intenzitou primárního svazku. Protože byly pořízeny finančně náročné komponenty a jejich spojením vzniklo unikátní zařízení, popíšeme aparatury podrobněji. Klíčovými celky jsou:

Mechanická konstrukce reflektometru byla navržena v naší laboratoři a realizována vlastními prostředky. Jednalo se o následující mechanické díly: držák rtg lampy a rtg zrcadla, který umožňuje přesnou justáž zrcadla (natáčení s přesností zlomků úhlové minuty a posuv s přesností několika mikrometrů). Držák dále obsahuje Sollerovu clonu snižující vertikální divergenci primárního rtg svazku. Držák vzorku byl zkostruován tak, že umožňuje motorický posuv vzorku, jeho náklon a připevnění pomocí podtlaku. K tomu bylo zkonstruováno jednoduché zařízení na základě malého kompresoru a čidla podtlaku. Rameno rtg detektoru bylo opatřeno sekundárním monochromátorem, soustavou justovatelných clon a motorizovanou sérií absorpčních filtrů. Monochromátor byl realizován dvojící rtg zrcadel vyrobených na zakázku v ÚPT AV ČR magnetronovým naprašováním. Důležitou součástí reflektometru je jeho skříň s posuvnými skleněnými stěnami, která umožňuje bezpečnou práci se zařízením. Bylo též nutné upravit elektronickou část rtg generátoru tak, aby umožňoval dálkové ovládání okénka rtg lampy. Přídavné elektronické zařízení bylo realizováno v LTVN.

V současné době je reflektometr v plném provozu. Byly dosaženy zamýšlené provozní parametry, zejména úhlové rozlišení kolem 100 úhlových vteřin a intenzita v primárním svazku. Tato intenzita dosahuje při polovičním výkonu v rtg lampě (900W) a průřezu svazku 0.13x4 mm^2 asi 2.5x10^7 cps v místě vzorku, což je téměř o 2 řády více než u stávajícího zařízení. Intenzita primárního svazku v novém reflektometru je přibližně stejná jako intensita dosahovaná pomocí rtg zdroje s rotační anodou, cena zdroje s rotační anodou je ovšem řádově vyšší, než náklady na náš reflektometr. Úhlové rozlišení dosahované naším zařízením je ovšem asi 10x horší, pro studium velmi tenkých vrstev (50 nm a tenčí) je toto rozlišení plně dostatečné. Základním optickým dílem, díky němuž byla tato vysoká intenzita dosažena, je parabolické multivrstevné rtg zrcadlo. Podle našich informací, nebyl dosud tento optický element v ČR použit v zařízeních pro měření rtg rozptylu. Potvrdilo se také, že reflektometr může pracovat bez obsluhy po několik dní, jeho mechanická stabilita tedy umožňuje dlouhodobá měření. Dosavadní rtg reflektometr byl provozován pomocí řídícího software již dříve vyvinutého v naší laboratoři. Nový reflektometr provozujeme s týmž software, do něhož byly vloženy nové části umožňující ovládání goniometru HUBER, sběr dat a ovládání scintilačních detektorů RADICON a CANBERRA-PACKARD a polohově citlivého detektoru BRAUN. Tyto části byly vyvinuty vlastními silami v LTVN. Nový rtg reflektometr byl uváděn do provozu postupně, v plném provozu je od srpna 1997.

V optických laboratořích bylo dosaženo následujících pokroků v metodice a instrumentaci:

Výsledky plynoucí z práce laboratoře

Práce, které byly otištěny v časopisech nebo byly k publikaci přijaty:

  1. V. Holý, C. Giannini, L. Tapfer, T. Marschner, and W. Stolz, "Diffuse X-ray reflection from multilayers with stepped interfaces", Phys. Rev. B 55, 9960 (1997).
  2. P. Mikulík and T. Baumbach, "X-ray reflection by multilayer surface gratings", Physica B, přijato k publikaci.
  3. O. Litzman, P. Mikulík and P. Dub, "Dynamical theory of diffraction of neutrons for positive and negative scattering lengths", J. Phys (UK), přijato k publikaci.
  4. M. Moško, D. Munzar, and P. Vagner, "Excitonic effects in free-standing ultrathin GaAs films", Phys. Rev. B 55, 15416 (1997).
  5. D. Munzar, E. Dobročka, et al.,"Antiphasing mechanism of ordered GaInP layers grown on GaAs (001)", přijato k publikaci v Phys. Rev. B.
  6. P. Vagner, D. Munzar, and M. Moško, "Calculation of excitonic absorption spectrum of a GaAs quantum wire free-standing in vacuum", Acta Phys. Pol., přijato k publikaci.
  7. A.A. Darhuber, P. Schittenhelm, V. Holý, J. Stangl, G. Bauer, and G. Abstreiter, "High-resolution x-ray diffraction from multilayered self-assembled Ge dots", Phys. Rev. B 55, 15652 (1997).
  8. A.A. Darhuber, V. Holý, et al., "Lateral and vertical ordering in multilayered self-organized InGaAs quantum dots studied by high-resolution x-ray diffraction", Appl. Phys. Lett. 70, 955 (1997).
  9. A.A. Darhuber, V. Holý, et al., "High-resolution x-ray diffraction and reflectivity studies of vertical and lateral ordering in multiple self-organized InAs quantum dots", Jpn. J. Appl. Phys. 36, 4084 (1997).
  10. B. Handlířová, J. Humlíček, L. Bočánek, T. Nguen Manh, and H. Sitter, "Thermally modulated optical response of C60 thin films in the region of absorption edge", přijato k publikaci v IWEPNM Kirchberg, Springer, 1997.
  11. J. Humlíček, "Ellipsometric study of Fano resonance in heavily doped p-type Si and SiGe alloys", Thin Solid Films, přijato k publikaci.
  12. J. Humlíček, "Infrared ellipsometry of LiF", Thin Solid Films, přijato k publikaci.
  13. E. Bortchagovsky, Y. Yurchenko, Z. Kazantseva, J. Humlíček, and J. Hora, "Spectroscopic ellipsometry of fullerene embedded Langmuir-Blodgett films with surface plasmon excitation", Thin Solid Films, přijato k publikaci.
  14. A. Kučírková, K. Navrátil, and J. Zemek, "Depth inhomogeneity of deposited thin films: application to semi-insulating polycrystalline silicon films", Thin Solid Films, přijato k publikaci.

Práce zaslané nebo připravené k zaslání:

  1. P. Mikulík and T. Baumbach, "X-ray reflection by rough multilayer gratings, Part I: Dynamical and kinematical scattering", zasláno do Phys. Rev. B.
  2. K. Navrátil, J. Šik, J. Humlíček, and S. Nešpůrek, "Optical response of polysilylene", připraveno pro Optical Materials.
  3. A. Nebojsa, J. Hora, J. Humlíček, M. Stráský, J. Spousta, and T. Šikola, "Ellipsometry and transport studies of thin-film metal nitrides", International Conference on Metal Coatings and Thin Films 98, zasláno.
  4. V. Holý, A.A. Darhuber, J. Stangl, G. Bauer, J. Nuetzel, and G. Abstreiter, "X-ray reflectivity investigations of the inteface morphology in strained SiGe/Si multilayers described by a kinetic step-flow growth model", zasláno do Phys. Rev. B.

Referáty na konferencích, seminářích a školách:

  • V. Holý, "X-ray reflection of rough surfaces", pozváno do semináře univerzity v Jeně, květen 1997.
  • V. Holý, "High-resolution x-ray diffractometry of self-assembled quantum dots", pozváno do semináře univerzity v Mnichově, červenec 1997.
  • J. Šik, J. Hora a J. Humlíček, "Optické konstanty křemíku pro teploty 300-1200K", Konference Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích, Brno, červen 1997.
  • J. Humlíček, "Optical properties of low-dimensional structures", pozvaná přednáška na Autumn School on Advanced Semiconductors: Formation, Properties and Characterization of Nanoscale Structures", MPI, Halle/Saale, Sep. 20-25, 1997.
  • J. Grim, "Diffuse x-ray reflectivity of strain-compensated SiGe/SiC multilayers", 3rd Autumn School on X-ray scattering from surfaces and thin layers, Smolenice, říjen 1997.
  • K. Navrátil, J. Šik, J. Humlíček a S. Nešpůrek, "Optická odezva polysilylenů", 3. seminář Fyzika a chemie molekulárních systémů, Brno, listopad 1997.

    Organizace odborných setkání:

    1. Konference "Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích", Brno, červen 1997.
    2. Podzimní škola "3rd Autumn school on X-ray scattering from surfaces and thin layers", Smolenice, Slovensko, říjen 1997.

    Spolupráce s domácími a mezinárodními institucemi: